薄膜沉積（PVD/CVD）設備：真空閥門密封潤滑，確保真空環境穩定
薄膜沉積（物理氣相沉積 PVD、化學氣相沉積 CVD）是半導體製造中形成導電層、絕緣層的關鍵步驟，設備需維持 10^-8 Pa 的超高真空環境，真空閥門的密封性能直接決定沉積薄膜的均勻性與純度。傳統密封潤滑材料在超高真空下易揮發，不僅破壞真空環境，還可能引入雜質原子（如氧、碳），導致薄膜性能劣化。
國內某半導體設備企業針對 CVD 設備的真空隔離閥，研發出基於苯基硅油的複合密封潤滑體系：將苯基硅油與聚四氟乙烯微粉復合，塗覆在閥門密封墊（氟橡膠材質）表面。該體系的核心優勢體現在：
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真空穩定性：在 10^-8 Pa 超高真空下，苯基硅油的飽和蒸氣壓低於 10^-10 Pa，幾乎無揮發，確保設備真空度長時間穩定，避免因真空波動導致的薄膜厚度偏差；
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介質相容性：能耐受 CVD 過程中使用的硅烷、氨氣等反應氣體腐蝕，密封墊在 180℃、反應氣體環境下連續運行 6 個月，未出現膨脹、龜裂；
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密封壽命：傳統密封墊潤滑體系每 2 個月需更換，而該苯基硅油復合體系可連續使用 10 個月，密封泄漏率始終低於 10^-9 Pa・m³/s，大幅降低設備維護頻次。
在 12 英寸矽片的氧化層沉積應用中，該方案使薄膜厚度均勻性誤差從 5% 降至 2%，雜質含量（碳、氧）降低一個數量級，滿足車規級半導體的高可靠性要求。
